报告题目：卤化物半导体中卤素空位缺陷物理机制以及光电子材料设计原理

报 告 人：时洪亮 教授 北京航空航天大学电子游戏平台

报告时间：2026年4月24日（星期五）下午16:30-17:30

报告地点：物理楼313

报告摘要：卤素化合物在半导体光电子领域有着广泛的应用。本报告讲述具有不同应用背景的卤素化合物半导体材料中卤素空位形成浅缺陷能级或者深缺陷能级的物理机制，以及含ns2孤对电子的Bi基光电子材料的设计原理。

个人简介：时洪亮，北京航空航天大学电子游戏平台教授，博士生导师。2005年本科毕业于曲阜师范大学，2010年博士毕业于中科院半导体研究所。主要从事半导体物理理论研究，包括半导体电子结构、半导体缺陷物理、极化子物理、激发态动力学，电声子耦合和晶格非谐等方向。迄今已发表SCI论文70余篇，总引用 4900 余次，H-index 31。其中一作和通讯身份论文中，单篇最高引用800余次，7篇引用超过100次。2025-2020年连续6年入选“全球前2%顶尖科学家榜单(年度科学影响力排行榜)”。

供稿审核：刘广强

编辑审核：王文志

终审：满忠晓